Startseite / Produkte / Hochspannung / HV Aktiv-Komponenten / Halbleiterschalter / B3 MOSFET mit fester Einschaltdauer, hohem di/dt, ultraschnell
HV-Schalter mit fester Einschaltdauer, hohem di/dt, ultraschnell, MOSFET
HV-Schalter mit extrem schneller Einschalt-Anstiegszeit. Echte Gate-Steuerung (keine Avalanche-Technik) für höchste Zuverlässigkeit über einen weiten Bereich von Betriebstemperaturen und Lastbedingungen. Entwickelt für die Befestigung auf Leiterplatten (PCB).
Ausstattung:
- Sehr niedrige Impedanz
- Sehr EMC-tolerant
- Erhältlich mit Einschaltzeitoptionen von 5 ns bis 1 μs
Produkte
Optionen
Produkte
| Schalter Modell | Max. Spannung (kV) | Spitzenstrom (A) | Auf Widerstand. (Ω) | Auf- Zeit (ns) | Gehäuse Abmessungen (mm3 ) | Datenblatt |
| HTS 30-08-UF | 3 | 80 | 2.5 | 120 | 80 x 38 x 25 |  |
| HTS 30-06-UF | 3.6 | 60 | 3.6 | 120 | 80 x 38 x 25 | |
| HTS 50-08-UF | 5 | 80 | 4 | 200 | 89 x 64 x 31 | |
| HTS 50-12-UF | 5 | 120 | 3 | 200 | 89 x 64 x 31 | |
| HTS 80-12-UF | 8 | 120 | 4.5 | 200 | 122 x 64 x 31 | |
| HTS 80-20-UF | 8 | 200 | 2.6 | 200 | 122 x 89 x 31 | |
| HTS 100-20-UF | 10 | 200 | 3.4 | 200 | 150 x 89 x 31 | |
| HTS 120-15-UF | 12 | 150 | 4.8 | 200 | 153 x 89 x 31 |
Optionen
| Optionen | Beschreibung |
| HFB | Hochfrequenz-Burst: Verbesserte Burst-Fähigkeit des Treibers durch externe Pufferkondensatoren. Empfohlen, wenn mehr als 10 Pulse mit weniger als 10 μs Abstand erzeugt werden. |
| HFS | Hochfrequenzschaltung: Externe Versorgung mit Hilfstreiberspannung (50-350 VDC je nach Typ). Erforderlich, wenn die angegebene "Maximale Betriebsfrequenz" überschritten werden soll. (2) |
| LP | Tiefpass: Tiefpassfilter am Steuereingang. Die Ausbreitungsverzögerungszeit wird um ~50 ns erhöht. Jitter + 500 ps. Verbesserte Rauschimmunität und weniger kritische Verdrahtung bei Hochgeschwindigkeitsanwendungen. (3) |
| OT-5n | Reduzierung der Einschaltzeit: On-Time auf 5 ns reduziert |
| OT-10n | Reduzierung der Einschaltzeit: On-Time auf 10 ns reduziert |
| OT-20n | Reduzierung der Einschaltzeit: On-Time auf 20 ns reduziert |
| OT-P | Programmierbare Einschaltzeit: Einschaltzeit in bestimmten Grenzen über externe Programmierwiderstände einstellbar. (2) |
| OT-C | Maßgeschneidert und pünktlich: On-Time nach Kundenspezifikation. Jeder Wert zwischen 20 ns und 1 μs. (2) |
| MIN-PS | Mindest-Impulsabstand: Individuell erhöhte Erholungszeit zur Gewährleistung eines Mindest-HV-Impulsabstands unabhängig vom Steuerimpulsabstand. Für sicherheitsrelevante Schaltungen. |
| ST | Stufenabgriff: Steckverbinder an den einzelnen Stufen des Stacks, um einzelne Leistungshalbleiter zu nutzen. Um schnelle Anstiegszeiten auch bei sehr niedrigen Betriebsspannungen zu erreichen (<0.01xVo). |
| LNC | Niedrige natürliche Kapazität: CN um ca. 30% reduziert. Zur Minimierung der kapazitiven Leistungsverluste in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz und hoher Schaltspannung... |
| LL | Niedriger Leckstrom: Der Ruhestrom ist auf weniger als 10 % des angegebenen Wertes reduziert. Nicht verfügbar in Verbindung mit den Kühlrippenoptionen und für Schalter der UF-Serie. |
| ISO-25 | 25 kV Isolierung: Die Isolationsspannung wurde auf 25 kVDC erhöht. Die Gehäuseabmessungen können sich bei einigen Modellen ändern. |
| ISO-40 | 40 kV Isolierung: Die Isolationsspannung wurde auf 40 kVDC erhöht. Die Gehäuseabmessungen können sich bei einigen Modellen ändern. Nur in Verbindung mit der Option PT-HV. |
| ISO-80 | 80 kV Isolierung: Die Isolationsspannung wurde auf 80 kVDC erhöht. Die Gehäuseabmessungen können sich bei einigen Modellen ändern. Nur in Verbindung mit der Option PT-HV. |
| I-PC | Integrierte Bauteilkomponenten: Integration von Kleinteilkomponenten nach Kundenspezifikation (z.B. Pufferkondensatoren |
| I-FWD | Integrierte Freilaufdiode: Eingebaute parallele Diode mit kurzer Erholungszeit. Nur in Verbindung mit induktiver Last. |
| I-FWDN | Integriertes freilaufendes Diodennetzwerk: Eingebaute parallele Diode plus serielle Sperrdiode mit kurzer Erholungszeit. Nur in Verbindung mit induktiver Last. |
| SEP-C | Separate Steuereinheit. Steuereinheit mit LED-Anzeigen in einem separaten Gehäuse (Abmessung 79x38x17 mm). Verbindungskabel (<1m) with plug. Control unit with soldering pins or pigtails |
| FOI-C | Glasfasereingang / Steuerung: Zusätzlicher optischer Steuereingang zur Ansteuerung des Schalters mit einem faseroptischen Signal (nur in Verbindung mit Option SEP-C) (2) |
| FOO-F | Lichtwellenleiter-Ausgang / Störung: Zusätzlicher optischer Ausgang zum Auslesen des Fehlerzustandes des Schalters durch ein faseroptisches Signal (nur in Verbindung mit Option SEP-C) (2) |
| I-PC | Integrierte Bauteilkomponenten: Integration von Kleinteilkomponenten nach Kundenspezifikation (z.B. Pufferkondensatoren |
| LS-C | LEMO-Buchse für Steueranschluss. Eingang Z=100Ω. Ein konfektioniertes Verbindungskabel (1m/3ft) mit zwei Steckern und einer Buchse ist im Lieferumfang enthalten. Verbesserte Rauschimmunität. (3) |
| PT-C | Pigtail für Steueranschluss: Flexible Leitungen (l=75 mm) mit PCB-Stecker. Diese Option ist nur für Schaltmodule mit Stiften relevant. Empfohlen für Module mit den Optionen CF & GCF. |
| PIN-C | Stifte für den Steueranschluss: Vergoldete Stifte für Leiterplattendesigns (spezielle Buchsen verfügbar). Diese Option ist nur für Schaltmodule relevant, die standardmäßig über Pigtails verfügen. |
| PT-HV | Pigtails für HV-Anschluss: Flexible Leitungen mit Kabelschuhen. Für erhöhte Kriechfähigkeit. PT-HV ist Standard für alle Typen mit >25 kV Schaltspannung. Nicht empfohlen in extrem schnellen Stromkreisen. |
| ST-HV | Schraubklemmen für HV-Anschluss: Gewindeeinsätze an der Unterseite des Moduls (wenn nicht Standard). Für PCB-Design. Betrieb über 25 kV erfordert Flüssigisolierung (Galden®/Öl) oder Verguss. |
| UL94 | Flammhemmendes Gießharz: Gießharz gemäß UL-94-VO. Mindestbestellmenge erforderlich. (2) |
| FH | Flanschgehäuse: Kunststoff-Flanschgehäuse zur isolierten Befestigung an leitenden Oberflächen. Ideal, wenn der Schalter nicht für Leiterplatten vorgesehen ist. Die Option PT-HV wird empfohlen. |
| TH | Rohrförmiges Gehäuse: Rohrförmiges anstelle eines rechteckigen Gehäuses. Anpassung an spezifische Umgebungsbedingungen oder bei schwierigen Einbausituationen. |
| FC | Flaches Gehäuse: Höhe von Standard-Kunststoffgehäusen auf 19 mm oder weniger reduziert. Nicht in Kombination mit Kühloptionen CF |
| ITC | Erhöhte Wärmeleitfähigkeit: Spezielles Gussverfahren zur Erhöhung der Wärmeleitfähigkeit des Moduls. Pd(max) wird um ca. 20-30% erhöht. (2) |
| CF | Kupfer-Kühlrippen d = 0,5 mm: Lamellenhöhe 35 mm. Vernickelt. Für Luftkühlung mit erzwungener oder natürlicher Konvektion sowie für Flüssigkeitskühlung mit nichtleitenden Kühlmitteln. |
| CF-1 | Kupfer-Kühlrippen d = 1 mm: Lamellendicke 1,0 mm anstelle von 0,5 mm. Die max. Verlustleistung Pd(max) wird um ~80 % erhöht. Für Luft- oder Flüssigkeitskühlung (z. B. Galden® oder Öl). |
| CF-X2 | "Kupfer-Kühlrippen "XL"": Um den Faktor 2 vergrößerte Lamellenfläche. Empfohlen für natürliche Luftkonvektion. Keine wesentliche Verbesserung der Kühlleistung in Verbindung mit forcierter Luft- oder Flüssigkeitskühlung." |
| CF-X3 | "Kupfer-Kühlrippen "XXL"": Um den Faktor 3 vergrößerte Lamellenfläche. Empfohlen für natürliche Luftkonvektion. Keine wesentliche Verbesserung der Kühlleistung in Verbindung mit forcierter Luft- oder Flüssigkeitskühlung." |
| CF-CS | Kühlrippen aus Kupfer mit kundenspezifischer Form: Individuelle Form zur Erfüllung spezifischer OEM-Anforderungen. (2) Kann mit den Optionen CF-1 kombiniert werden |
| CF-LC | Kühlrippen aus Kupfer für die Flüssigkeitskühlung: Doppelte Lamellen |
| CF-D | Doppelte Kühlrippen aus Kupfer: Ca. 100% mehr Kühlleistung |
| CF-S | Kühlrippen aus Kupfer: Halbleiter auf Lamellen gelötet. Ca. 30% bis 100% mehr Kühlleistung (je nach Typ). Kombinierbar mit den Optionen CF-D |
| CF-GRA | Nicht isolierte Kühllamellen aus Graphit: Sehr geringes Gewicht im Vergleich zu Kupfer bei ähnlicher Wärmeübertragung |
| CF-CER | Isolierte Kühlrippen aus Keramik: Wärmeübertragungseigenschaften ähnlich wie bei Aluminiumoxid. Zwangskonvektion empfohlen durch 2 mm Abstand zwischen den Lamellen. Höhe 35 mm. |
| CCS | Keramische Kühlfläche: Die Oberseite des Schaltmoduls besteht aus Keramik. Wärmeübertragungseigenschaften ähnlich wie Tonerde. Max. 20 kVDC Isolierung. Erzwungene Konvektion empfohlen. |
| CCF | Keramik-Kühlflansch: Die Unterseite des Schaltmoduls besteht aus einer plan geschliffenen Keramikplatte. Integrierter Metallrahmen für gleichmäßigen und sicheren Anpressdruck. Max. 40 kVDC Isolierung. |
| C-DR | Kühlung für den Fahrer: Zusätzliche Kühlung für den Treiber und die Steuerelektronik. Empfohlen in Kombination mit der Option HFS bei höheren Schaltfrequenzen. (2) |
| GCF | Geerdeter Kühlungsflansch: Vernickelter Kupferflansch für High-Power-Anwendungen. Max. Isolationsspannung 40kV. Erhöhte Kopplungskapazitäten Cc. |
| GCF-X2 | Geerdeter Kühlungsflansch |
| ILC | Indirekte Flüssigkeitskühlung: Flüssigkeitskühlung für alle Arten von leitfähigen Kühlmitteln einschließlich Leitungswasser. Interner Wärmetauscher aus Keramik. Für Anwendungen mit mittlerer Leistung. |
| DLC | Direkte Flüssigkeitskühlung: Interne Kühlkanäle um die Leistungshalbleiter herum. Die effizienteste Kühllösung, insbesondere für Hochfrequenzanwendungen. Nur für nicht leitende Kühlmittel. |
| HI-REL | Hochzuverlässige / MIL-Versionen: Auf Anfrage erhältlich. (2) |
| [1] | Neuer Optionscode: Datenblätter können von diesem Kodierungssystem abweichen (insbesondere ältere) und geben nicht alle möglichen Optionen gemäß obiger Tabelle an. |
| [2] | Für detaillierte Informationen wenden Sie sich bitte an das Werk. |
| [3] | Diese Optionen sind EMV-relevant und werden für industrielle Stromanwendungen empfohlen |