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Hochspannungs-Halbleiter Schalter
Hochspannungs- und Impulsstromanwendungen bergen von Natur aus immer ein gewisses Risiko von Funkenbildung und Überschlägen, insbesondere wenn sich die Umgebungsbedingungen, die Betriebsbedingungen oder die Lastbedingungen unerwartet ändern. Daher sollte die Spitzenstromfähigkeit eines Halbleiterschalters immer so hoch wie möglich sein, mindestens aber höher als der mögliche Kurzschlussstrom der Anwendung. Bei der Auswahl der Nennspannung empfehlen wir eine Sicherheitsspanne von mindestens 5 % für MOSFET-Schalter und mindestens 20 % für alle bipolaren Schalter (IGBT, MCT, SCR), um das Risiko einer Beschädigung durch unerwartete Spannungsschwankungen oder unerwartete Rückschlagspannungen zu minimieren. Die Langzeitzuverlässigkeit bzw. die Mean Time Between Failures (MTBF) eines Hochspannungs-Solid-State-Schalters ist immer auch eine Funktion der Betriebstemperatur. Wir empfehlen daher dringend, die Schalter möglichst nur bei moderaten Temperaturen zu betreiben. Dies wird vor allem durch die Wahl eines ausreichenden Einschaltwiderstandes, der Strombelastbarkeit, der natürlichen Kapazität und der Koppelkapazität erreicht. Weitere Informationen entnehmen Sie bitte den Datenblättern und den folgenden Produktübersichten.

SCR-Thyristor-Schalter:
- Hohe Spitzenstromfähigkeit
- Sehr überlasttolerant
- Extrem hohes di/dt
- Einfache Zündung durch einen einfachen TTL-Triggerimpuls
(2-5 V)

Allzweck-MOSFET:
- Sehr EMV-tolerant
- Absolut störungsfrei im Ein- und Ausschaltzustand
- Geringe Steuerleistung bei hoher Frequenz

MOSFET mit hohem di/dt:
- Einschaltdauer durch TTL-Signal steuerbar
- Äußerst niedrige Impedanz
- Ausgezeichnete dv/dt-Immunität gegen HV-Transienten

Hochspannungsimpulsgeber-Einheiten:
- HV-Schalter in Impulsgeber-Konfiguration
- Keine externen Komponenten erforderlich
- Alle Impulsgeber sind für die Systemintegration optimiert
- Laborimpulsgeber sind immer CE-zertifiziert

Schnell regenerierende HV-Diodenbaugruppen:
- Freilaufende Dioden für HTS-Festkörperschalter
- Sanfte Erholungseigenschaften
- Hohe Spitzenstromfähigkeit
- Sehr geringe Induktivität, kurze Erholzeit
Schaltet | On-Time Beschreibung | Maximale Spannung | Maximaler Strom | Schalter Einschaltzeit | Kategorie |
SCR/Thyristor | Strom Abhängig | 4 - 150 kV | 1 - 24 kA | > 35 us | A |
Standard-MOSFET | Festgelegt | 2 - 200 kV | 15 - 1600 A | 100 - 300 ns | B1 |
MOSFET mit hohem di/dt | Festgelegt | 0,5 - 40 kV | 70 - 1600 A | 150 ns | B2 |
Ultraschneller MOSFET | Festgelegt | 3 - 12 kV | 60 - 200 A | 120 - 200 ns | B3 |
Niedrige On-Res. MOSFET | Festgelegt | 3 - 24 kV | 60 - 1040 A | 150 - 250 ns | B4 |
Standard-MOSFET | Variabel | 0,5 - 36 kV | 12 - 640 A | > 50 ns | C1 |
MOSFET mit hohem di/dt | Variabel | 3 - 36 kV | 200 - 3200 A | > 300 ns | C2 |
Nieder-C-MOSFET | Variabel | 3 - 140 kV | 30 - 4000 A | > 60 ns | C3 |
Niedrige On-Res. Trench-FET | Variabel | 0,5 - 160 kV | 125 - 6000 A | > 120 ns | C4 |
Wechselspannung MOSFET | Variabel | 1,2 - 140 kV | 12 - 400 A | > 50 ns | C5 |
Allzweck-IGBT | Variabel | 3 - 36 kV | 800 - 9600 A | > 0,2 us | C6 |
MCT-Thyristor | Variabel | 4 - 18 kV | 3000 A | > 1 us | C7 |
Push-Pull MOSFET | Variabel | 2 x 1,2 - 140 kV | 2 x 12 - 300 A | > 50 ns | C8 |
AC-Push-Pull-MOSFET | Variabel | 2 x 3 - 140 kV | 2 x 12 - 130 A | > 70 ns | C9 |
HV-Impulsgeber-Einheiten | Variabel | 3 - 12 kV | 12 - 80 A | > 4 ns | D |
HV-Dioden-Baugruppen | E | ||||
Direkte Flüssigkeitskühlung | F |